在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn)：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料 間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與 基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場合，則要求 壓力更低。 真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子 束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn) 行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。----超硬面熱噴涂廠家 

1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng) 相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。但是如 果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會(huì)根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。 

2.化學(xué)組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜 過程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù) 含量所在。具體因素也在下面給出。 眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能。20世紀(jì)70年代，在物體表 面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個(gè)電極的基體表面上，因此 這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導(dǎo)體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學(xué)還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參 加還原反應(yīng)，這種鍍膜方法不僅薄膜的結(jié)合強(qiáng)度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生大量的廢液，造成嚴(yán)重的污染。因 此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。 真空鍍膜則是相對于上述的濕式鍍膜方法而發(fā)展起來的一種新型鍍膜技術(shù)，通常稱為干式鍍膜技術(shù)。----PVD真空鍍膜廠家